| 설 명 |
내층배선은 위에 그림에 나타낸 바와 같이 정면처리로부터 D/F박리까지
단위공정을 통하여 형성된다. 내층배선은 내층용 기판에 형성하는데, 이
기판은 두께가 0.8t 이하이므로 박판 코어(Thin Core)라 한다. 정면처리
(Scrubbing)는 불량의 원인이 되는 이물질을 제거하고, 동박 표면에 거
칠기(Roughness)를 부여하여 D/F(Dry Film)의 밀착력을 높이기 위한 처
리이다. 정면처리에 앞서 원판을 작업용의 ‘패널(Panel)’로 잘라내는 재
단(Shearing)을 행하고, 재단 후 모서리의 거칠기가 유리섬유 부스러기
를 없애는 면취(Bevelling)를 행한다.
내층배선은 부식법(Etching Method ; 배선 이외의 부분을 부식으로 제거
하는 방법)에 의하여 형성한다. 다음 그림에 부식법으로 배선패턴을 형성
하는 과정을 단면도로써 나타내었다. 그림을 참조하면서 부식법에 의한
내층배선의 형성을 설명한다.
먼저 그림의 (1)과 같이 감광재인 D/F(Dry Film)를 입힌 후 (이 작업을
D/F적층(Lamination)이라고 한다.), 배선패턴의 형상이 출력된 마스터
필름을 밀착시킨다.
이 상태에서 자외선(Ultra Violet)을 노광하여 D/F를 선택적으로 감광 시
킨다.
이때, 노광된 D/F는 중합반응에 의하여 경화된다.
다음으로 (2)와 같이 현상을 행하여 경화되지 않은 D/F를 제거한다. 현상
액으로는 탄산 나트륨(1%의 Na2CO3), 또는 탄산칼륨(K2CO3)이 사용된
다. 이어서 아래그림의 (3)과 같이 기판을 부식하여 D/F로 덮이지 않은
동박을 제거한다.
이 과정에서 D/F는 그 하부의 동박을 보호하므로 부식 레지스트
(Etching Resist)라고 한다. 부식액에는 염화철, 염화제2동, 알칼리
(Alkali)부식액, 과산화수소-유산계 부식액 등이 있다.
이어서 아래그림의 (4)와 같이 D/F박리(D/F Stripping)를 행하여 역할을
다한 D/F를 제거한다. 이로써 그림의 (5)와 같이 내층배선이 최종적으로
만들어 진다.
박리액으로는 NaOH 또는 KOH 용액이 사용된다.
D/F 박리 후에는 부식법과 같은 단위공정 작업 중에 발생되는 내층 배선
의 개방(Open)이나 단락(Short), 패턴의 갈라짐(Slit), 패턴의 부분적인
손상(Pin Hole), 잔류 동박(Copper Residues)등을 AOI(Automatic
Optical Inspection)와 같은 자동검사 장비로 검사한다.
< 부식법에 의한 내층배선의 형성 >
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